爱建证券：半导体设备行业点评：先进制程与设备多腔化共振，看好零部件环节

投资要点： 国产半导体设备向7nm及以下先进制程突破的过程，本质上也是零部件同步升级的过程。 半导体设备的刻蚀均匀性、沉积一致性、真空稳定性及热场控制能力，均需依托关键零部件实现，因此设备先进制程能力的提升，本质上取决于零部件性能的同步突破。相较成熟制程，先进制程对材料纯度、加工精度、颗粒控制、耐等离子体侵蚀及温控稳定性提出更高要求，推动零部件持续向高精度、高洁净度及高可靠性升级。 存储扩产+设备多腔化趋势有望持续提升设备单机价值量、单位腔体密度以及核心零部件价值占比，进一步放大半导体设备零部件环节的业绩弹性。 相比逻辑厂单期扩产通常为2-5万片/月，存储厂单期扩产往往以10万片/月以上，对单位洁净面积内的产能密度要求显著更高，在此背景下，多腔化成为设备核心演进方向之一，即在单一平台集成更多反应腔，提高单位洁净区内的产出效率。传统刻蚀、PVD、ALD、PECVD等设备平台通常采用“1个传输模块+2个反应腔”架构，而新一代平台已逐步升级至“1个中央传输平台+多个主反应腔+多个辅助腔体”架构，对真空控制、热场均匀性、等离子体稳定性及自动化调度能力提出更高要求。 空间和格局：半导体设备行业扩