东兴证券：半导体行业分析手册之二：混合键合设备：AI算力时代的芯片互连革命与BESI的领航之路

Q1:混合键合是什么?先进封装已成为驱动算力持续提升的“后摩尔时代”新引擎，键合技术的性能直接决定了集成系统的上限。键合技术本身经历了从引线键合、倒装芯片、热压键合到扇出封装的演进，最终迈向混合键合时代。混合键合通过铜-铜直接键合取代传统凸块，实现了10μm以下的超精细间距互连，在互连密度、带宽、能效和单位互连成本上带来数量级提升，是支撑3D堆叠与异构集成的关键突破。其工艺分为晶圆对晶圆（适合存储等均匀小芯片）和芯片对晶圆（适合大芯片及异构集成）。目前，混合键合已在3DNAND、CIS（取代TSV）等领域成熟应用，并正加速向HBM、AI芯片、DDR6+及SoIC等高性能计算场景扩展，成为突破算力与带宽瓶颈、重塑产业链价值的核心使能技术。 Q2：混合键合的优势与挑战？混合键合拥有极致互连密度与性能突破、工艺兼容性与成本优化潜力以及三维集成与异构设计灵活性等优势。然而要成功大批量生产混合键合，需要解决与缺陷控制、对准精度、热管理、晶圆翘曲、材料兼容性和工艺吞吐量等相关的挑战。 Q3：混合键合设备未来市场需求？混合键合技术正从先进选项转变为AI时代的核心基础设施。在存储领域，HBM5为实现2