DeepTech：2022年中国关键新材料技术及创新生态发展图景研究报告

第三代半导体材料，指带隙宽度明显大于 Si（1.1eV）和 GaAs（1.4eV）的宽禁带半导体材料，主要包括 Ⅲ 族氮化物（如 GaN、AlN 等）、碳化硅（SiC）、氧化物半导体（如 ZnO、Ga2O3 等）和金刚石等宽禁带半导体。相对于第一代半导体材料 Si 和第二代半导体材料 GaAs 和 InP，第三代半导体材料具有高击穿电场强度、高热导率、高电子饱和率、高漂移速率以及高抗辐射能力等优越性能。应用也较为广泛，覆盖了中高压电力电子转换、毫米波射频和高效半导体光电子等领域，是制造业产业升级的重要支撑。2017 年，中国第三代半导体产业全面启动，中央和地方出台相关政策加大对第三代半导体材料及产业化应用扶持力度。