甬兴证券：电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或建10nm第七代DRAM测试线，存储现货市场横盘为主

核心观点 NAND：群联电子财报指出市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至5.00%，平均涨跌幅为0.43%。其中11个料号价格持平，7个料号价格上涨，4个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联财报指出，截至11月为止，控制芯片累计总出货量同比增长30%，整体NANDBit累计出货量年成长率达14%，创历史同期新高，反映出市场对高容量NAND存储模组产品的需求持续稳健增长。 DRAM:三星电子抢建10nm第七代DRAM测试线。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.04%至2.12%，平均涨跌幅为-0.33%。上周6个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星准备同步推进第七代DRAM测试线的建设与第六代DRAM的量产准备，计划从2025年初开始在平泽第四工厂（P4）引进设备，生产10纳米级第六代DRAM，并力争在2025年5月获得内部量产批准（PR