华金证券：半导体：五大优势加速SiC布局，功率厂商更待何时？

事件点评2023年6月7日，意法半导体宣布，将与三安光电在中国成立200mm碳化硅器件制造合资企业，预计2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成，到2030年碳化硅收入将超过50亿美元（约合人民币：356.24亿元）。五大优势加速碳化硅布局，功率厂商有望迎来历史性发展机遇。（1）SiC器件助力实现系统小型化，增大汽车可用空间。SiCDC/DC转换器体积较硅DC/DC转换器减少20%，SiC电机控制器体积较硅控制器缩小64%，SiC车载充电器体积较硅车载充电器减少40%，故使用SiC器件可实现系统小型化；硅器件极限工作温度一般不能超过300℃，而SiC器件极限工作温度可以达到600℃以上；叠加SiC热导率均是硅2.67倍，有助于器件散热，可简化冷却散热装置，进一步增大可用空间。（2）物理性能较硅基器件全面升级，助力导通及开关损耗减少，从而续航里程增加。SiC（3.3eV）禁带宽度为硅（1.1eV）的3倍，可实现高浓度掺杂，使漂移区宽度大幅缩短，在SiCMOS器件导通时，正向压降和导通损耗皆小于Si-IGBT，且不存在拖尾电流，进一步降低损耗；叠加SiC载流子迁移率为硅的3倍左右，