东吴证券：电子行业周报：化合物半导体需求旺盛 国产替代加速进行

投资要点受移动通信、新能源汽车电子和光电应用带动，化合物半导体需求持续提升：化合物半导体相比单元素半导体具有禁带宽度大、电子迁移率高、具有直接跃迁型能带结构等特性，其中，禁带宽度大使得化合物半导体适用于制作大功率、耐高温半导体器件，电子迁移率高适用于制作高频、高速半导体器件，而具有直接跃迁型能带结构适用于制作光电器件，上述特性和优势使得化合物半导体在移动通信、新能源汽车电子和光电应用等领域拥有广泛的应用前景。在射频应用市场：与传统硅基RFCMOS工艺相比，基于GaAs工艺的PA的高频损耗低、噪声小并且功率密度高，在5G智能终端市场的竞争力显著，而在5G基站中，与传统的Si基LDMOS工艺相比，基于GaN工艺的PA拥有更高的功率密度、工作频率、工作温度以及更低的发射功耗、能够更好地满足大规模MIMO基站的应用需求。随着5G建设的推进和5G终端设备的普及，射频应用市场对GaAs、GaN等化合物半导体的应用需求有望逐步提升。在功率半导体应用市场：相比传统的Si材料，SiC是制作更高功率、高效率、高压、高频、高温以及小型化和轻量化功率半导体器件的理想材料之一，这使得SiC功率半导体成为新能源汽