国金证券：计算机行业研究：SiC有望进入产业放量期

行业观点 CoWoS迈入大尺寸、高HBM、高热流密度新阶段。 TSMC于2025年4月北美技术论坛明确下一代CoWoS演进方向，确立大尺寸、高HBM堆叠、高热流密度为先进封装核心主轴。公司规划2026年推出5.5倍光罩尺寸过渡版本，2027年实现9.5倍光罩尺寸CoWoS规模化量产，单封装有效面积接近8,000mm²，可支持4颗3D堆叠芯片系统、12层及以上HBM与多颗逻辑芯片高密度集成，精准匹配AI大模型对内存容量与互联带宽的指数级需求。同期推出的SoW‑X晶圆级系统集成方案，可实现40倍于当前CoWoS的计算能力，计划2027年同步量产。该路线与NVIDIA下一代AI芯片规划高度印证，RubinUltra等产品采用CoWoS‑L封装与N3P工艺，印证大尺寸、高带宽、高功耗密度成为未来2–3年高端封装核心竞争维度，先进封装已从配套环节升级为决定AI算力上限的关键变量。 CoWoS瓶颈转向热管理与翘曲控制，热‑机械耦合成量产核心制约。 伴随CoWoS向超大尺寸迭代，行业核心矛盾由产能约束转向热管理与翘曲控制。TSMC研发的110×110mm²CoWoS‑R方案可集成4颗SoC+12颗H