浙商证券：天岳先进深度报告：中国半绝缘型SiC衬底龙头发力导电片！

天岳先进(688234)投资要点SiC性能优异，发展前景广阔SiC作为第三代半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，以SiC为衬底制成的半导体器件可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求，能更好适配新能源等应用场景。根据Yole，2025年全球以导电型SiC衬底制备的器件市场规模有望达到25.62亿美元，其中，新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场。SiC衬底处于价值量最高环节，衬底的低成本化也是SiC器件爆发的痛点从目前SiC器件的成本结构来看，SiC衬底成本占比47%，外延的成本占比23%。从产业链价值分布来看，衬底由于工艺技术难度大，处于SiC整体价值量最高环节。正因如此，SiC器件降成本曲线的下降的关键在于SiC衬底的低成本化——长期来看，伴随着SiC尺寸的提升、晶片良率的提升，SiC衬底的生产成本有望下降，从而带动SiC整体器件价格的下行，而这也将成为SiC渗透率进一步提升、大规模应用的关键。未来我们认为SiC衬底的低成本化将是SiC行业需求爆发的关键所在。半绝缘型SiC龙头发力导电片，享受行业发展黄金机遇期天岳先进成立于2