爱建证券：半导体设备行业点评：SK海力士以钼代钨，设备链如何传导？

投资要点： 事件：SK海力士375层NAND完成验证，钼（Mo）字线导入为关键变量。根据TheElec报道，SK海力士已完成375层3DNAND生产验证，正推进技术向量产线转移，计划于2026年底前实现量产。公司将通过改造清州M15现有NAND产线导入新产品（非新建产能）。 关键变量在于钼材料首次导入字线结构。SK海力士在375层产品中开始以钼部分替代传统钨（W）字线材料，以降低电阻、提升器件性能并适应400层以上超高堆叠结构需求。 钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。 1）300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制；375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF₆残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。 2）选择钼字线的工艺理由：钨沉积需使用阻隔衬里层，钼不需要阻隔衬里层，可以直接沉积，从而减少成品包裹的厚度和尺寸。然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以