五矿证券：电子行业深度：碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动

碳化硅（SiC）成为驱动技术升级与效率革命的关键支撑。作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大高增长产业，其应用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行业即将进入高速发展期。 在新能源领域，SiC是实现高效节能的核心器件，我们预计2030年，全球“新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6寸当量，若非特殊说明，下同）的需求量约577万片，CAGR~36.7%。新能源汽车领域，800V高压平台逐步普及，2025年渗透率已达11.17%，SiCMOSFET应用于主驱逆变器、DC-DC转换器等核心部件，可使整车能耗降低8%-10%。我们测算得，2030年全球新能源车领域SiC衬底需求达432万片，中国328万片。高压直流充电桩方面，政策推动下2027年将建成10万台大功率充电桩，SiC凭借耐高压特性成为达标关键，2030年全球SiC衬底需求51万片，中国29万片。光储领域，SiC将提升光伏逆变器与储能变流器效率，2030年全球碳化硅衬底需求94万片，中国30万片。 AI产