国金证券：计算机行业研究：电RAM与DRAM对比分析

行业观点 电容是算力系统的"电RAM"，这一比喻正在从叙事走向工程现实。我们在电容系列第一篇（5月16日）即提出"电容是新的电RAM"——HBM是数据的缓冲、电容是能量的缓冲。电RAM与DRAM的相似之处主要有以下几点：存储系统的"DRAM刷新—缓存层级—容量墙"，分别对应电容在AI供电系统中的"充放电响应—多级时间常数—容量配置"。二者在系统角色、层级结构、量价驱动上高度同构，并非只是修辞上的相似。算力越强，对"电能缓冲"的依赖越深，正如算力越强对"数据缓冲"的依赖越深——这是电容需求脱离"按GPU颗数线性外推"的根本原因。 电容体系是一张"按时间常数分层"的缓冲网络，每一类电容对应一个供电时间尺度。沿着从芯片到电网的方向，硅电容在封装内承担亚纳秒级瞬态去耦，MLCC在板级承担纳秒级高频去耦，MLPC（多层聚合物电容）在板级承担微秒级中高频滤波与储能、并在高容值区间替代多颗MLCC，牛角铝电解电容在电源模块承担微秒至毫秒级的稳压削峰，超级电容与锂离子电容在机柜侧承担毫秒至秒级的备电与功率缓冲，薄膜电容则在高压直流母线承担纹波吸收。这套"时间常数阶梯"与DRAM/SRAM/寄存器的"访