华鑫证券：AI算力行业周报：长江存储科创板IPO获受理，AI算力与内存增速差或将扩大

投资要点 美光HotChips2026剖析AI"内存墙"瓶颈，算力两年增长3倍而内存能力增长不足2倍 8月23日，在美国斯坦福大学举行的HotChips2026半导体大会上，美光（Micron）HBM设计架构研究员RaghuSreeramaneni深入剖析了AI系统面临的"内存墙"问题。他指出，计算能力大约每两年增长3倍，而内存能力每两年仅增长不到2倍，两者增速差距意味着内存墙不仅持续存在，而且可能进一步加剧。 在典型的AI加速器中，大量计算工作受限于内存传输速度，处理器不得不频繁等待数据送达。美光透露，在一个典型的GPU系统单晶片封装（SiP）中，若采用4个12层的HBM堆叠，其内存硅芯片面积占整个封装总硅芯片面积的90%左右，相当于GPU硅芯片面积的8倍。相较传统DDR5内存，HBM系统可提供高达5.3TB/s的系统级带宽，性能高出15至17倍；HBM3E单颗晶圆带宽高达256GB/s，高出DDR5的32倍。为解决带宽不足，现行芯片封装被迫堆叠更多HBM，但这也带来严峻的散热与机械结构挑战。美光已推出HBM4，信道数翻倍、I/O速度提升两倍，系统带宽最高可达2,800GB/s。在散