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说明书手册

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5金币 ST L6206 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册.pdf

L6206是意大利公司STMicroelectronics生产的DMOS双全桥驱动器，适用于双极步进电机和双或四相直流电机等应用。该器件采用了MultiPower-BCD技术，将DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206具有热关断功能和高侧功率MOSFET的非消散型过流检测功能，并提供诊断输出，可用于实现过流保护。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 413.78KB | 23 页
5金币 lnternational IOR Rectifier IRS2003(S)PbF HALF-BRIDGE DRIVER数据手册.pdf

IRS2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端输出通道。具有浮动通道，适用于引导操作。完全可在+200 V下正常工作。能够耐受负的瞬态电压，具有dV/dt免疫能力。门极驱动供应电压范围为10 V至20 V。具有欠压锁定功能。与3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容。具有交叉导通预防逻辑。两个通道的传播延迟匹配。内置的设定死区时间。高端输出与HIN输入同相，低端输出与��输入反相。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 469.07KB | 14 页
5金币 lnternational IOR Rectifier IRS2108/IRS21084(S)PbF HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册.pdf

该数据表提供了IRS2108/IRS21084的引脚定义、电气特性、封装、应用等信息...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 944.24KB | 25 页
5金币 ST L6201 L6202 - L6203 DMOS FULL BRIDGE DRIVER数据手册.pdf

L6201、L6202和L6203是一种DMOS全桥驱动器，供电电压高达48V，最大峰值电流为5A（L6201最大为2A）。总有效值电流为L6201：1A；L6202：1.5A；L6203/L6201PS：4A。具有0.3Ω的导通电阻（在25°C时的典型值），具有交叉导电保护、TTL兼容驱动、最高工作频率可达100kHz和热关断等特点。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 6.81MB | 20 页
5金币 ST L6205 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册.pdf

L6205是DMOS双全桥，用于电机控制应用，采用MultiPower-BCD技术，该技术将分立的DMOS功率晶体管与CMOS和双极性电路结合在同一芯片上。该产品提供PowerDIP20（16+2+2）、PowerSO20和SO20（16+2+2）封装，采用非耗散型保护高侧PowerMOSFET和热关断。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 388.52KB | 21 页
3金币 lnternational IOR Rectifier IR2153(D)(S) &(PbF) SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER 数据手册.pdf

该文件介绍了一款自振动半桥驱动器产品，具有600V集成半桥门极驱动器、15.6V稳压器、低功耗启动等特点。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 216.15KB | 9 页
5金币 ANALOG DEVICES AD7672 数据手册.pdf

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内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 1.11MB | 20 页
8金币 ST M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 数据手册.pdf

本文件详细介绍了M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® Serial Access EEPROM的特点特性，包括Industry Standard MICROWIRE Bus、Single Supply Voltage、Dual Organization、Programming Instructions、Self-ti...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 587.22KB | 31 页
5金币 MICREL LP2950/2951 100mA Low-Dropout Voltage Regulator 数据手册.pdf

LP2950和LP2951是微功率电压稳压器，具有非常低的丢失电压和静态电流，非常适合电池供电系统。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 110.01KB | 14 页
3金币 National Semiconductor CD4023BM/CD4023BC Buffered Triple 3-Input NAND Gate CD4025BM/CD4025BC Buffered Triple 3-Input NOR Gate 数据手册.pdf

该文件介绍了CD4023BM和CD4025BM两款缓冲三输入与非门和三输入或非门的特点和特性。这些门采用互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路构建，具有相等的源和汇电流能力，符合标准的B系列输出驱动。此外，这些门还具有缓冲输出，通过提供非常高的增益来改善传输特性。所有输入都通过二极管保护免受静电放电。...

内容提供方：外唐用户 | 2025-10-23 发布 | 128.06KB | 6 页