甬兴证券：电子行业存储芯片周度跟踪：美光或下调10%NAND闪存产能利用率，铠侠宣布已开发出OCTRAM技术

核心观点 NAND：美光下调10%NAND闪存产能利用率以应对市场需求放缓。根据DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.27%至3.17%，平均涨跌幅为0.41%。其中11个料号价格持平，9个料号价格上涨，2个料号价格下跌。根据IT之家报道，美光高管确认该企业在闪存市场需求放缓的背景下将其NAND晶圆启动率较此前水平下调10%并减慢制程节点转移。美光预计在结束于2025年2月末的第二财季中，该企业的NAND比特出货量将出现显著的环比下降；同时NAND负载不足也将影响本财年第二财季的毛利率。 DRAM:铠侠宣布已开发出OCTRAM技术。根据DRAMexchange，上周（1216-1220）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.45%至3.12%，平均涨跌幅为-0.10%。上周7个料号呈上涨趋势，10个料号呈下降趋势，1个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，铠侠宣布已开发出OCTRAM技术，这是一种新型4F²DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶