东吴证券：计算机行业点评报告：磷化铟有望成为AI算力时代的“光之基石”

投资要点 磷化铟凭借超高电子迁移率与精准匹配通信窗口的直接带隙特性，有望成为1.6T及CPO时代高速光芯片不可替代的物理基石。磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体的核心，其物理特性决定了其在AI算力时代不可替代的战略地位。相较于传统硅材料，磷化铟拥有其4倍以上的电子迁移率，这使其在高频高速场景下展现出卓越的性能。更重要的是，磷化铟是直接带隙材料，通过外延生长特定的合金，其发光波长可精准覆盖光纤通信中损耗最低的1310nm与1550nm窗口。随着光模块从800G向1.6T乃至3.2T演进，单颗模块对磷化铟芯片的需求量呈倍数增长，且1.6T及CPO技术要求的激光器阵列化，迫使衬底尺寸从2英寸向6英寸跨越。这种从“分立器件”向“大规模阵列”的迭代，不仅对衬底的晶体质量、表面平整度提出了极致要求，更确立了磷化铟作为光通信核心衬底、量子计算及卫星通信关键材料的基础性地位。 磷化铟产业链表现出极高的进入壁垒与严重的供需错配。AI数据中心的大规模建设极大拉动磷化铟的需求，但磷化铟衬底生产需在高温高压下进行极端的环境控制，叠加设备交付慢、良率爬坡难及长达两年的客户认证期。这种长周期、技术壁垒高、重资