甬兴证券：电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子或提高1bDRAM良率，NAND/DRAM市场价小幅波动

核心观点 NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，西部数据预览2TbQLCNAND闪存芯片。根据DRAMexchange，上周（0610-0614）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.62%至3.11%，平均涨跌幅为0.20%。其中9个料号价格持平，7个料号价格上涨，6个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，西部数据预览了其创新的BICS82TbQLCNAND闪存芯片，这款芯片以其218层的堆叠技术，成为目前业界最高密度的闪存产品。BICS82TbQLCNAND闪存芯片的单芯片容量达2Tb，西数有望通过16层堆叠技术提供4TB的存储容量颗粒。 DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子或将提高1bDRAM良率及产能。根据DRAMexchange，上周（0610-0614）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.69%至0.04%，平均涨跌幅为-0.89%。上周1个料号呈上涨趋势，15个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，三星电子存储部门已于上个月成立专门工作小组，以提高1bDRAM良率及产能，将从2024年上半年的每月4万张扩大到第三季度的7万张