东莞证券：半导体材料专题报告：第三代半导体材料发展情况及东莞布局分析

投资要点： 什么是第三代半导体材料。第三代半导体材料其核心特征是禁带宽度显著大于第一代硅和第二代砷化镓，使器件具备高频、高压、高温、低损耗的天然优势。SiC及GaN可突破传统硅基器件的物理性能极限，适合功率电子、射频及部分光电应用。SiC在高压、大功率场景更具优势；GaN在高频、高功率密度和小型化场景具有突出价值。 AI数据中心对宽禁带功率器件形成新需求。AI数据中心是SiC和GaN从“高端电源器件”升级为“算力基础设施关键器件”的重要场景。SiC在高功率PSU前端PFC和高压基础设施侧提升渗透；GaN在PSU隔离DC-DC与48V→12VIBC实现高频高密度转换。800VHVDC侧，SiC更靠近中压/SST及高压集中整流，GaN更靠近高压直流的机架侧降压与低压负载转换。 东莞在第三代半导体产业中的布局。东莞第三代半导体产业链呈现典型的“两头强、中间弱”哑铃型结构。上游（衬底外延）拥有天域半导体（SiC外延全国第一）、中镓半导体（GaN衬底）、中图科技（PSS全球32.82%）、中晶半导体（GaN衬底）等全国领先企业；下游（封测）拥有安世半导体（全球功率半导体前五，东莞30亿扩建）、利