东吴证券：光伏设备行业点评报告：N型低氧单晶炉迎新一轮技术迭代，利好硅片设备商

事件：连城数控发布KX420PV单晶炉新品，采用MCCz单晶生长技术，通过引入磁场实现更低的氧碳含量、更高的少子寿命。投资要点N型硅片存在同心圆问题，要求更低氧含量：N型对晶体品质和氧碳含量要求很高，典型问题是由原生氧造成造成的同心圆、黑芯片问题，形成原因系高温的硅溶液在坩埚里进行相对高速的对流，因为外面热中间冷，底部热上面冷，硅溶液在坩埚内会形成类似“开锅”的现象，造成硅溶液内部出现流动，不停冲刷石英坩埚，而石英就是二氧化硅，其中含有的氧会在冲刷过程中融入硅溶液，造成晶体里含有较多的氧。而TOPCon后续的高温工艺（如B扩散）下，氧非常容易沉淀，形成氧环即同心圆，影响效率和良率，所以TOPCon对硅片氧含量更敏感；而HJT为低温工艺，出现同心圆的概率不高，可以选择高氧含量的硅片。增加磁场是有效改善方案之一，目前成本较高：磁场可以解决这个问题，主要系磁场会抑制硅溶液的流动，使硅溶液变得很粘稠，硅溶液流动变慢后，氧含量就会下降，目前半导体级的超导磁场约500万元+/台，光伏级约300万元+/台，主要系冷冻机、超导线材等成本较高，我们预计未来有望降低至100万/台。除了磁场方案以外，改变坩