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东吴证券:半导体设备行业深度:AI发展带动HBM需求爆发,看好半导体设备商充分受益.pdf |
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投资要点
AI驱动HBM需求爆发,DRAM供需持续偏紧,全球存储进入新一轮扩产周期。AI训练及推理需求持续增长,推动GPU、ASIC等AI芯片出货量快速提升,同时单芯片HBM容量、堆叠层数及带宽持续升级,HBM需求呈现量价齐升趋势。我们测算,全球HBMwafer需求将由2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月,年均复合增速超过90%。由于HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能,AI对存储的挤出效应未来两年内仍难缓解,全球DRAM供需仍将维持紧平衡,国内外存储厂商扩产需求具备较强持续性。
HBM带动存储制程升级,设备投资额与资本开支同步提升。随着HBM向HBM4、HBM4E持续演进,DRAM制程不断升级,3DNAND同步向更高层数发展,先进存储单位产能对应设备投资额持续提升。与此同时,为满足高带宽、高堆叠、高良率要求,刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键工艺的重要性进一步提高,设备数量及工艺复杂度同步增加。我们测算,薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过50%,将充分受益于本轮存储扩产周期。
国内外存储同步扩产,平台化设备龙头及核心环节有望持续受益。海外三星、SK海力士、
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