×
img

甬兴证券:存储芯片行业周度跟踪:三星电子计划生产400层堆叠NAND,渠道市场短暂止跌

发布者:wx****d4
2024-11-11
664 KB 10 页
半导体
文件列表:
甬兴证券:存储芯片行业周度跟踪:三星电子计划生产400层堆叠NAND,渠道市场短暂止跌.pdf
下载文档
核心观点 NAND:NAND颗粒市场价格小幅波动,三星电子计划生产400层堆叠NAND。根据DRAMexchange,上周(1028-1101)NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至4.00%,平均涨跌幅为0.01%。其中10个料号价格持平,2个料号价格上涨,10个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道,三星电子最新存储芯片发展路线图显示,该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND,以最大限度提高容量和性能。 DRAM:颗粒价格小幅下跌,美光宣布推出CrucialDDR5Pro超频(OC)游戏内存。根据DRAMexchange,上周(1028-1101)DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.63%至3.25%,平均涨跌幅为-0.79%。上周3个料号呈上涨趋势,15个料号呈下降趋势,0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道,美光宣布推出CrucialDDR5Pro超频(OC)游戏内存,速度达6,400MT/s,可提供更流畅、更快速的游戏体验。DDR5ProOC游戏内存解决方案以美光尖端的DRAM创新为基础,采用美光先进的1β(1-be

加载中...

已阅读到文档的结尾了

下载文档

网友评论>