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德邦证券:电子:积极把握上游自主化、下游智能化机会.pdf |
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贸易摩擦加剧将加速国产半导体设备的导入。10月7日,美国商务部工业和安全局(BIS)公布了一系列更全面的出口管制新规,欲限制中国获得先进计算芯片、以及制造先进半导体等能力,其中包括对中国晶圆厂先进制程所需设备增加新的许可证要求,具体涵盖16nm或14nm以下制程的非平面晶体管结构的逻辑芯片、半间距不超过18nm的DRAM存储芯片、128层或以上的NAND闪存芯片。虽然美国加大出口管制,但我国晶圆厂仍在快速推动28nm及以上晶圆产能的扩产。9月24日,中芯国际天津西青12英寸芯片项目正式开工建设。该项目开工建设时间较此前项目合作框架协议签署时间仅一个月,反映中芯国际在快速推进产能扩产。美国的具体出口管制规定将坚定我国发展自主先进制程半导体设备的决心,推动国产设备在成熟制程以及更先进制程的加速导入。预计在头部晶圆厂积极扩产以及设备采购国产化的带动下,国内半导体设备公司销售仍将取得较好增长。IGBT海外拓展打开空间,SiC应用方兴未艾。受到消费电子需求疲软影响,低压功率器件价格和需求偏弱,但高压功率器件在新能源发电、汽车的带动下需求仍维持景气。国内功率厂商也开始走向海外。近日,时代电气子公司
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