山西证券：AI设备系列：存储芯片加速扩产带来相关检测需求增长

投资要点： AI浪潮下存储芯片加速扩产可期。AI时代海量数据的预处理，庞大模型参数的加载等带来更高带宽、更高密度内存的需求。一台AI服务器对DRAM（内存）的需求是普通服务器的8倍，对NAND（闪存）的需求高达3倍，增加了对HBM和DDR5等高性能、高密度存储产品的需求。国内DRAM龙头长鑫科技今年10月完成上市辅导；与此同时，NAND龙头长江存储于今年9月5日成立三期项目，国产存储芯片项目加速扩产在即。 超声波、X光等无损检测方式为先进封装保驾护航。存储芯片的3D化是当前半导体行业最核心、最确定的技术趋势之一。它彻底改变了传统平面微缩的路径，是延续摩尔定律、提升存储性能与容量的关键手段。传统2DNAND依靠微缩制程提升密度，但制程进入15nm以下后，晶体管间干扰加剧，可靠性骤降，微缩难以为继。3DNAND通过将存储单元垂直堆叠，在不追求极小制程的情况下，通过增加层数来大幅提升密度和容量；HBM将多个DRAM芯片通过硅通孔（TSV）和微凸块技术垂直堆叠在一起，并与GPU/CPU等逻辑芯片通过中介层并列封装（2.5D封装），随着堆叠层数的增加，内存带宽也呈指数级增长。3D堆叠工艺发展背景