甬兴证券：电子行业存储芯片周度跟踪：LamResearch推出低温蚀刻新技术，美光第九代NAND闪存技术宣布量产

核心观点 NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，美光第九代NAND闪存技术宣布量产。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.53%至0.29%，平均涨跌幅为-0.22%。其中12个料号价格持平，1个料号价格上涨，9个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，美光宣布其276层TLCG9NAND已量产，可提供比目前可用的竞争性NAND解决方案高出99%的单芯片写入带宽和高出88%的单芯片读取带宽。 DRAM：颗粒价格小幅波动，三星电子转换平泽四厂为"DRAM专用"。根据DRAMexchange，上周（0729-0802）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.68%至1.24%，平均涨跌幅为-0.22%。上周6个料号呈上涨趋势，12个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，为补充因HBM供应而导致的通用DRAM供应不足，三星电子决定将平泽四厂（P4）转换为DRAM专用生产线。原本计划将P4工厂的一楼分为NAND和代工生产线，但现在计划将其改为专用的DRAM生产线。预计从2025年上半年开始，向P4