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东吴证券:北交所专题报告:光刻胶原料国产替代加速推进,建议关注北交所相关标的佳先股份-260817

发布者:wx****51
2026-08-17
2 MB 18 页
东吴证券
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东吴证券:北交所专题报告:光刻胶原料国产替代加速推进,建议关注北交所相关标的佳先股份-260817.pdf
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观点 光刻胶为芯片光刻工艺核心耗材,2022年光刻胶及辅助材料市场规模在半导体材料市场占比约13%。光刻胶通过曝光、显影将掩模版上的电路图形精准转移至晶圆表面,其分辨率、灵敏度、抗刻蚀性及附着力直接影响芯片良率与制程能力。按照曝光光源波长,半导体光刻胶可分为G/I线、KrF、ArF及EUV光刻胶,曝光波长逐步缩短,适配制程不断向先进节点延伸,产品配方、纯度控制与工艺适配难度同步提升。根据华经产业研究院数据,在2022年全球半导体材料市场规模占比中,光刻胶及其辅助材料市场规模占比13%。 半导体光刻胶核心原料与成品制造壁垒并存,国产替代分层推进。1)光刻胶上游原料中,电子级溶剂和部分配套试剂已基本实现本土供应,高端树脂、PAC及PAG等感光组分仍较依赖进口,原料纯度、批次稳定性及深度提纯能力构成主要瓶颈。2)光刻胶成品端同时具备配方设计、洁净生产和客户认证壁垒,认证周期通常可达2—5年。国内PCB及G/I线产品已基本实现国产替代,KrF光刻胶部分型号进入量产供货阶段,ArF光刻胶总体处于送样验证及少量导入阶段,EUV光刻胶仍以研发储备为主。 晶圆扩产与国产替代共振,中高端光刻胶打开成长空

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